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STMICROELECTRONICS STS8N6LF6AG MOSFET, AEC-Q101, CAN N, 60V, 8A, SOIC


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N. Articolo:
     8585-3129929
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STS8N6LF6AG
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.021 ohm Gamma di prodotti STripFET F6 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.2 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2019)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STS8N6LF6AG, 3129929, 312-9929
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