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ROHM SCT3060ALHRC11 MOSFET, CAN N, 650V, 39A, 175°C, 165W


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N. Articolo:
     8585-3052183
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT3060ALHRC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.06 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 39 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 165 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), ROHM, SCT3060ALHRC11, 3052183, 305-2183
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