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NEXPERIA BUK7M3R3-40HX MOSFET, N-CH, 40V, 80A, 175DEG C, 101W


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N. Articolo:
     8585-3020969
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7M3R3-40HX
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 101 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BUK7M3R3-40HX, 3020969, 302-0969
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