VISHAY SQJ560EP-T1_GE3 MOSFET, AEC-Q101, CAN N & P, 60V, 30A

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.0099 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.0099 ohm Dissipazione di potenza canale N 34 W Dissipazione di potenza canale P 34 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)