ONSEMI NTR4101PT1H MOSFET, CANALE P, -20V, -2.4A, 150°C

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 730 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 720 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)