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STMICROELECTRONICS STP45N60DM6 MOSFET, CAN N, 600V, 30A, 150°C, 210W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2987020
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STP45N60DM6
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.085 ohm Gamma di prodotti MDmesh DM6 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 210 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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STMICROELECTRONICS
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298-7020
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