VISHAY SQJ868EP-T1_GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0062 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 58 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 48 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)