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NEXPERIA BUK9Y1R3-40HX MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 40V, SOT-669


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-2901029
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9Y1R3-40HX
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 960 µohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 190 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-669 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 395 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.62 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, BUK9Y1R3-40HX, 2901029, 290-1029
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