Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-2889707 N. Art. Produtt.:
SQ2301ES-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.9 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 3 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQ2301ES-T1_GE3, 2889707, 288-9707 |
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