VISHAY SUM90330E-GE3 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0312 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 35.1 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 200 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (10-Jun-2022)