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STMICROELECTRONICS STW27N60M2-EP MOSFET, CA-N, 600V, 20A, TO-247


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N. Articolo:
     8585-2784049
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW27N60M2-EP
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 170 W Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.15 ohm Gamma di prodotti MDmesh, M2 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STW27N60M2-EP, 2784049, 278-4049
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