VISHAY SQJB70EP-T1_GE3 MOSFET, DOPPIO CA-N 100V POWERPAK SO

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 11.3 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 11.3 A Resistenza RdsON canale N 0.078 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.078 ohm Dissipazione di potenza canale N 27 W Dissipazione di potenza canale P 27 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)