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VISHAY SI3421DV-T1-GE3 MOSFET, CANALE P, -30V, -8A, TSOP
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2679683
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SI3421DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 4.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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Semiconduttori
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Singoli
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Transistori
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VISHAY
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SI3421DV-T1-GE3
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2679683
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267-9683
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