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Articolo
STMICROELECTRONICS STP7N60M2 MOSFET, CA-N, 600V, 5A, TO-220-3
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2629760
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STP7N60M2
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.86 ohm Gamma di prodotti MDmesh II Plus Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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MOSFET
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Transistore
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Effetto
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Semiconduttori
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STMICROELECTRONICS
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STP7N60M2
,
2629760
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262-9760
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Simile
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 3,16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
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