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STMICROELECTRONICS STP100N10F7 MOSFET, CA-N, 100V, 80A, TO-220-3


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N. Articolo:
     8585-2629751
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP100N10F7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0068 ohm Gamma di prodotti DeepGATE STripFET VII Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STP100N10F7, 2629751, 262-9751
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