ONSEMI FDMD8680 MOSFET, DOPPIO N-CH 80V, 66A, PQFN-8

Tensione drain-source (Vds) canale N 80 V Corrente di drain continua (Id) canale P 66 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 80 V Corrente di drain continua (Id) canale N 66 A Resistenza RdsON canale N 0.0033 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0033 ohm Dissipazione di potenza canale N 39 W Dissipazione di potenza canale P 39 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PQFN Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)