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DIODES INC. DMG1016UDW-7 MOSFET, CA-P & N, 20V, SOT-363


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N. Articolo:
     8585-2543527
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1016UDW-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 845 mA Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 845 mA Resistenza RdsON canale N 0.3 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.3 ohm Dissipazione di potenza canale N 330 mW Dissipazione di potenza canale P 330 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, DIODES INC., DMG1016UDW-7, 2543527, 254-3527
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