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MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 1,5 Ω, 750 mΩ, 1 A, 840 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1220207
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1016UDW-7
EAN/GTIN:
     5059043271668
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
1 A, 840 mA
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
1,5 Ω, 750 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
330 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-6 V, +6 V
Lunghezza:
2.2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1220207, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG1016UDW7
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