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STMICROELECTRONICS STB37N60DM2AG MOSFET, CA-N, 600V, 28A, TO263
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2522895
Produttore:
ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
STB37N60DM2AG
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.094 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 210 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
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(FET)
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Effetto
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STMICROELECTRONICS
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STB37N60DM2AG
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252-2895
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