NEXPERIA PMXB65UPEZ Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source

Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.059 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor DFN1010D Tensione Drain Source Vds 12 V Dissipazione di potenza 317 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 680 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)