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INFINEON IRF7342TRPBF MOSFET, DOP. CAN. P, -55V, -3.4A, SOIC-8


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N. Articolo:
     8585-2468016
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7342TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 55 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 55 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.4 A Resistenza RdsON canale N 0.095 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.095 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, INFINEON, IRF7342TRPBF, 2468016, 246-8016
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