STMICROELECTRONICS STD7N65M2 MOSFET, CANALE N, 650V, 5A, TO-252-3

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.98 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 60 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)