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NEXPERIA PSMN1R0-40YLDX MOSFET, CANALE N, 40V, 100A, SOT-669-4


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N. Articolo:
     8585-2449088
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN1R0-40YLDX
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 930 µohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-669 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 198 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, NEXPERIA, PSMN1R0-40YLDX, 2449088, 244-9088
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