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INFINEON IPA60R190E6XKSA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-2443429
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPA60R190E6XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Correzione del fattore di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.17 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20.2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 34 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPA60R190E6XKSA1, 2443429, 244-3429
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