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INFINEON BSC060N10NS3GATMA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-2432708
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSC060N10NS3GATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0053 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 90 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TDSON Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, BSC060N10NS3GATMA1, 2432708, 243-2708
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