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STMICROELECTRONICS STD5N95K3 MOSFET, CANALE N, 950V, 4A, DPAK


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-2098176
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STD5N95K3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 950 V Dissipazione di potenza 90 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STD5N95K3, 2098176, 209-8176
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