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ON SEMICONDUCTOR FDME1024NZT Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente


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N. Articolo:
     8585-2083357
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDME1024NZT
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 3.8 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 3.8 A Resistenza RdsON canale N 0.055 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.055 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.4 W Dissipazione di potenza canale P 1.4 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor µFET Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ON SEMICONDUCTOR, FDME1024NZT, 2083357, 208-3357
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