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ON SEMICONDUCTOR FDN86246 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-2083326
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDN86246
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.195 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 1.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ON SEMICONDUCTOR, FDN86246, 2083326, 208-3326
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