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ON SEMICONDUCTOR FDMC86244 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-2083270
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDMC86244
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.105 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9.4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor MLP Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 26 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ON SEMICONDUCTOR, FDMC86244, 2083270, 208-3270
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