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NEXPERIA NX2301P,215 MOSFET, CANALE P, 20V, 2A, SOT23


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N. Articolo:
     8585-1894738
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     NX2301P,215
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 400 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 750 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, NEXPERIA, NX2301P,215, 1894738, 189-4738
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