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INFINEON IPW60R125C6FKSA1 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza


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N. Articolo:
     8585-1860837
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPW60R125C6FKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.11 ohm Gamma di prodotti CoolMOS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 219 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IPW60R125C6FKSA1, 1860837, 186-0837
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3223-07FR-43
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Modulo Driver gate 2EDN7524FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
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