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STMICROELECTRONICS STN3NF06 MOSFET, CANALE N, 60V, 4A, SOT223


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N. Articolo:
     8585-1752120
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STN3NF06
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-223 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STN3NF06, 1752120, 175-2120
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