Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-1684049 N. Art. Produtt.:
SI2302CDS-T1-GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 8 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-236 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 710 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 850 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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| Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SI2302CDS-T1-GE3, 1684049, 168-4049 |
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| | | Offerte (3) | | |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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| | | | | Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 8585 | | | | Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione. | | Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati. |
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