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DIODES INC. ZXMC3A17DN8TA MOSFET, DOPPIO, NP, 30V, SO-8


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N. Articolo:
     8585-1471154
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     ZXMC3A17DN8TA
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 4.4 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 4.4 A Resistenza RdsON canale N 0.07 ohm Tipo di canale canale N e P complementare Resistenza RdsON canale P 0.07 ohm Dissipazione di potenza canale N 2.1 W Dissipazione di potenza canale P 2.1 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, DIODES INC., ZXMC3A17DN8TA, 1471154, 147-1154
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