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STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 MOSFET, N, TO-220


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N. Articolo:
     8585-1291987
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP80NF55-06
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0065 ohm Gamma di prodotti STP Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 2 - 1 anno Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 80 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 55 V Dissipazione di potenza 300 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Dec-2015)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STP80NF55-06, 1291987, 129-1987
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