Infineon Technologies IRF7402 MOSFET 1 Canale N 2.5 W SOIC-8

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 650 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 15 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: SOIC-8 · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 6.8 A · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 2.5 W · Q(G): 22 C · Q(G) Tensione di riferimento: 4.5 V · R(DS)(on): 35 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 4.1 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 4.5 V · Serie (semiconduttori): HEXFET® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 20 V · Tipo (tipo di produttore): IRF7402 · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 0.7 V