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IXYS IXTH360N055T2 MOSFET 1 Canale N 935 W TO-247AD


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N. Articolo:
     7743-160772-BP
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH360N055T2
EAN/GTIN:
     4064161261256
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 20000 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-247AD · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: IXYS · I(d): 360 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 935 W · Q(G): 330 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 2.4 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 100 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): TrenchT2™ · Sigla produttore (componenti): IXY · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V · Tipo (tipo di produttore): IXTH360N055T2 · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 55 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, IXYS, IXTH360N055T2, FET, Transistore a effetto di campo
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