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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SUD50P06-15-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SUD50P06-15-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK;TO252
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -50A
Resistenza nello stato di conduzione: 28mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 113W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 165nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -80A
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