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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolare; 800V; 7,6A; 190W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STW13N80K5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW13N80K5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 7,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,45Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 190W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Versione: ESD
Tecnologia: SuperMESH5™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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