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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolare; 900V; 1,9A; Idm: 12A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STP4N90K5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP4N90K5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 900V
Corrente di drenaggio: 1,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,1Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 60W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 5,3nC
Tecnologia: MDmesh™ K5
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 12A
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