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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 9,4A; 110W; DPAK


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 9,4A; 110W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 9,4A; 110W; DPAK
N. Articolo:
     5068-STD18N65M5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STD18N65M5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 9,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,22Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 110W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Tecnologia: SuperMesh™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
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