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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -2,5A; Idm: -12A; 0,48W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -2,5A; Idm: -12A; 0,48W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -2,5A; Idm: -12A; 0,48W
N. Articolo:
     5068-SI2307BDS-T1-E3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2307BDS-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -2,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 78mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,48W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -12A
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