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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-R6076KNZ4C13
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6076KNZ4C13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 76A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 735W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 165nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 228A
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