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Transistori
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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 120A; Idm: 1320A; 306W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-PSMN1R1-40BS.118
Produttore:
Nexperia
N. Art. Produtt.:
PSMN1R1-40BS,118
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
NEXPERIA
Montaggio:
SMD
Corpo:
D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte:
40V
Corrente di drenaggio:
120A
Resistenza nello stato di conduzione:
2,3mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
306W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
136nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
1320A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Murata
MGJ2D122005SC
a partire da € 6,22272*
Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 13,5 → 16,5 V c.c., Vout -5 V dc, 20V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D152005SC
a partire da € 6,20*
Accessori
IC: driver; low-side,Gate driver MOSFET; MillerDrive™; SOT23-5
onsemi
FAN3100CSX
a partire da € 0,402*
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