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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO220-3


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO220-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 23,8A; 176W; PG-TO220-3
N. Articolo:
     5068-IPP60R160C6XKSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPP60R160C6XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: PG-TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 23,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,16Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 176W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Tecnologia: CoolMOS™ C6
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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BERGQUIST 3223-07FR-43 SIL-PAD, 400,.007 Zoll, TO-220,
Bergquist
3223-07FR-43
a partire da € 4,30*
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Modulo Driver gate 2EDN7523FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
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2EDN7523FXTMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 2EDN7524FXTMA1, 5 A, 20V, PG-DSO-8-60, 14-Pin
Infineon
2EDN7524FXTMA1
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