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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IMZA65R048M1HXKSA1
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IMZA65R048M1HXKSA1
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio:
THT
Corpo:
TO247-4
Tensione drenaggio-fonte:
650V
Corrente di drenaggio:
24A
Resistenza nello stato di conduzione:
63mΩ
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
125W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori:
Uscita Kelvin
Tecnologia:
SiC;CoolSiC™
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
-5...23V
Corrente di drain pulsata:
100A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N THT
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,905*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
a partire da € 3,61*
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