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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W


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N. Articolo:
     5068-IMZ120R220M1HXKSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMZ120R220M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 9,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 416mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 37,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: Uscita Kelvin
Tecnologia: SiC;CoolSiC™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -7...23V
Corrente di drain pulsata: 21A
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