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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 89,3A; Idm: 267,9A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-IMW120R014M1HXKSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R014M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 89,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 27mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 227W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Tecnologia: SiC;CoolSiC™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -7...20V
Corrente di drain pulsata: 267,9A
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partire da € 1,606*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
a partire da € 0,905*
Accessori
Modulo Driver gate 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3491MC12MXUMA1
a partire da € 2,858*
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