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MOSFET onsemi, canale N, 180 mΩ, 12 A, TO-220, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7614542
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     MTP3055VL
EAN/GTIN:
     5059042944709
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
180 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
48 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-15 V, +15 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, 7614542, Semiconduttori, Discreti, onsemi, MTP3055VL
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
Tipo
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Prezzo
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Bergquist
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Pad interfaccia termica Silfox in Ossido di alluminio ceramico, 18 x 12mm, spessore 1.5mm, 20W/m·K
Silfox
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