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MOSFET DiodesZetex, canale N, 61 mΩ, 12,2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-7514199
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN4036LK3-13
EAN/GTIN:
     5059045999393
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12,2 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
61 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
8,49 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, mosfet 12a, transistor a effetto campo, 7514199, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMN4036LK313
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